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IPA126N10N3 G /MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA126N10N3 G的规格信息
IPA126N10N3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:12.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:33 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:16.15 mm

长度:10.65 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.85 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPA126N10N3GXKSA1 IPA126N1N3GXK SP000485964

单位重量:6 g

供应商IPA126N10N3 G
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPA126N10N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司IPA126N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419
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IPA126N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS500+:¥6.6
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IPA126N10N3 GInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥13.67
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